DDR5 sobe até 10x em 12 meses e crise de RAM pressiona preço de PCs
Levantamento do Tom's Hardware mostra memória RAM DDR5 até 10 vezes mais cara em um ano, com kit de 128 GB batendo US$ 3.399. Disputa por chips com data centers de IA é apontada como motor da crise.
Por Otávio Meireles · Repórter de Mercado
O número que importa
US$ 3.399. É o preço que um kit DDR5 de 128 GB, topo de linha, atingiu nos Estados Unidos — o equivalente a 10 vezes o menor valor já registrado para a categoria. O dado é de um levantamento do Tom's Hardware que rastreia preços de memória RAM e escancara a dimensão da crise que atinge o mercado de hardware desde a segunda metade de 2025, com piora mês a mês a partir de outubro.
De US$ 200 a US$ 1.100 em um ano
Foto: reprodução/tomshardware.com
O retrato mais didático da disparada vem de um recorte específico: um kit DDR5-5600 de 64 GB (2x32 GB) que custava menos de US$ 200 no verão passado passou a ser vendido por mais de US$ 1.100 — alta superior a 480%. No consolidado, a DDR5 acumula elevação de 5x em 12 meses, segundo o levantamento, sendo o componente que mais sofreu no período. A DDR4, tecnologia mais antiga, não escapou: subiu entre 120% e 177%, com kits básicos de 32 GB batendo US$ 300. SSDs também entraram na conta, com encarecimento acima de 200%.
Quem paga a conta no Brasil
No mercado nacional, o efeito já aparece na ponta do consumidor: um módulo DDR4 Kingston Fury Beast de 8 GB saiu de R$ 162 para R$ 500, o triplo do valor. Uma configuração simples de 16 GB DDR4 já custa cerca de R$ 1.000. Reportagens complementares mostram módulos batendo R$ 950 em janeiro deste ano — alta de quase 300% em dois anos — e notebooks intermediários que custavam perto de R$ 3.700 no fim de 2025 agora na faixa de R$ 4.800 a R$ 5.200.
Foto: reprodução/fortune.com
Quem ganha e quem perde
Do lado dos fabricantes, Samsung, SK Hynix e Micron controlam cerca de 95% da produção global de DRAM e vêm realocando capacidade fabril para memória de alta performance (HBM) destinada a data centers de IA — o que reduz a oferta de silício para RAM convencional e explica o apelido que o mercado deu ao fenômeno, "RAM-ageddon". A Micron chegou a descontinuar a marca Crucial, voltada a montadores de PC, para priorizar clientes corporativos de IA. O resultado é que gigantes de nuvem e provedores de IA seguem absorvendo memória a qualquer preço, enquanto fabricantes de PCs, notebooks e consumidores finais disputam o que sobra — e pagam a diferença.
O que vem pela frente
Nenhuma das fontes consultadas aponta um horizonte claro de normalização. Pelo contrário: projeções de mercado citadas por veículos internacionais indicam que os preços contratuais de DRAM podem seguir subindo nos próximos trimestres, o que sugere que o alívio para quem monta ou compra um PC não deve vir no curto prazo.
Atualização (19/08, 15:50): A fabricante chinesa ChangXin Memory Technologies (CXMT) quebrou a barreira dos 8.800 MT/s em memórias DDR5 durante uma demonstração de overclock promovida pela Colorful, usando a placa-mãe iGame X870E Vulcan W OC, da plataforma AMD AM5. Kits com módulos de 16 GB (2x16 GB) atingiram DDR5-8812, enquanto configurações de 48 GB (2x24 GB) chegaram a DDR5-8817, ambos aprovados em testes de estabilidade — um resultado considerado difícil especialmente no formato de 16 GB.
O feito coloca os chips da CXMT próximos do desempenho das melhores memórias de overclock da SK hynix, como as linhas A-die e M-die, mesmo a fabricante chinesa não tendo acesso a equipamentos de litografia EUV de ponta por causa das restrições de exportação impostas pelos EUA — ela depende de máquinas DUV em seu processo de 16 nm.
O avanço é visto como um possível sinal positivo para a crise global de preços de RAM, já que reforça a CXMT como alternativa em maturação rápida às fabricantes estabelecidas (Samsung, SK hynix e Micron), num momento em que a oferta do setor está sob forte pressão. Ainda assim, testes independentes já apontaram que os chips da CXMT apresentam desempenho inferior ao da SK hynix em uso normal, com variação significativa de qualidade entre lotes de silício.